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三星电子HBM芯片据悉尚未通过英伟达测试，涉及发热和功耗问题
路透5月23日消息，知情人士称，由于发热和功耗问题，三星电子最新的高带宽内存（HBM）芯片尚未通过英伟达的测试，无法用于后者的人工智能处理器。这些问题涉及三星电子的HBM和HBM3E产品。三星电子在一份声明中表示，HBM是一种定制的内存产品，需要根据客户的需求进行优化，“我们正通过与客户的密切合作优化产品”。该公司拒绝就具体客户发表评论。（界面）
https://36kr.com/newsflashes/2789147788215169?f=rss
路透5月23日消息，知情人士称，由于发热和功耗问题，三星电子最新的高带宽内存（HBM）芯片尚未通过英伟达的测试，无法用于后者的人工智能处理器。这些问题涉及三星电子的HBM和HBM3E产品。三星电子在一份声明中表示，HBM是一种定制的内存产品，需要根据客户的需求进行优化，“我们正通过与客户的密切合作优化产品”。该公司拒绝就具体客户发表评论。（界面）
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